Une nouvelle fuite de la série Samsung Galaxy S25 suggère une nouvelle mise à niveau de la mémoire vive
Le lancement de la série Samsung Galaxy S25 est imminent, le prochain événement Unpacked ayant été récemment confirmé pour le 22 janvier. Bien que la société n'ait pas encore officiellement révélé quoi que ce soit sur les nouveaux téléphones phares, il y a eu une tonne de fuites sur les appareils à venir.
Certains de ces rapports affirmaient que Samsung ferait de 12 Go de RAM le point de départ de toute la gamme Galaxy S25, ce qui constituerait une amélioration majeure par rapport à la configuration de base de 8 Go de la dernière génération. Aujourd'hui, une nouvelle fuite suggère qu'il y aurait une autre amélioration en termes de mémoire.
Cette nouvelle fuite provient d'un média coréen réputé, ETNewset le rapport indique que l'ensemble de la série Galaxy S25 sera équipée d'une mémoire vive LPDDR5X. Toutefois, Samsung se serait approvisionné en puces mémoire 12 nm auprès de Micron. La lithographie ayant été améliorée par rapport au nœud de 13 nm, ces puces de mémoire vive devraient offrir de meilleures performances et une meilleure efficacité.
Il convient de noter que Samsung fabrique lui-même des puces de mémoire vive en 12 nm, mais le géant sud-coréen aurait été confronté à des problèmes thermiques (Black Shark Fun Cooler 3 Pro, 44,99 $ actuellement sur Amazon). Samsung aurait résolu le problème, mais pour ne pas retarder le lancement de la série Galaxy S25, la société a dû s'approvisionner en puces de RAM LPDDR5X auprès de Micron.
Il n'est pas rare de s'approvisionner auprès d'entités tierces, mais cela augmente la facture des matériaux. À ce propos, l'ensemble de la série Galaxy S25 devrait voir son prix augmenter. D'après des informations récentes, tous les téléphones à venir pourraient subir une augmentation de 100 euros en Europeet il pourrait y avoir une augmentation de prix similaire dans les autres régions.
