TSMC serait à la traîne par rapport à Samsung Foundry en ce qui concerne les rendements en 3 nm
Un rapport précédent indiquait que Samsung Foundry obtenait d'assez bons résultats avec son nœud de 3 nm, avec des rendements de 60 %. Mapple_Goldun initié de l'industrie, a déclaré que le rendement atteignait 75 % dans un cas. D'autre part, TSMC semble toujours avoir des difficultés avec son nœud de 3 nm, selon un rapport du média sud-coréen KMIB.
Les rendements du fabricant de puces basé à Taïwan s'élèvent actuellement à 55 %. Bien que le rapport ne mentionne pas la variante N3 en question, il s'agit probablement de N3B, la première itération. La décision de TSMC de s'en tenir à une conception FinFET peut avoir un rapport avec les rendements inférieurs.
En revanche, le nœud 3 nm de Samsung utilise la nouvelle technologie GAA FET, qui sera adoptée par TSMC pour sa prochaine génération de puces. Les murmures provenant de Meeco suggèrent que les difficultés de TSMC pourraient ne pas être terminées de sitôt et qu'elles persistent dans son nœud de 2 nm. Pour ne rien arranger, la concurrence sera beaucoup plus intense à ce moment-là (2025), avec Intel Foundry Services entrera dans la danse avec son nœud 18A.
Malgré des rendements plus élevés, Samsung Foundry n'a pas encore attiré de clients. Cela pourrait toutefois changer bientôt, car AMD utiliserait son nœud 3 nm pour certaines de ses prochaines pièces destinées à l'IA et aux centres de données. Alors que Apple se taille toujours la part du lion en termes de capacité de production en 3 nm, d'autres acteurs tels que Qualcomm pourraient être contraints de se tourner vers Samsung, malgré leur passé trouble avec le Snapdragon 888 et Snapdragon 8 Gen 1.
Source(s)
KMIB (en coréen)
