TSMC devrait annoncer ses plans pour ses nœuds de production en 1,4 nm le mois prochain

Alors que les scientifiques explorent diverses pistes pour trouver des moyens viables de fabriquer des transistors de moins de 1 nm, les plus grandes fonderies du monde se livrent à une course pour savoir qui pourra sortir les premiers nœuds de production de l'ère de l'angström. Même si Intel a été le premier à annoncer 20A et même des nœuds de 18A prévus pour après 2025, il est fort probable qu'il ne s'agira pas de véritables nœuds sub-2 nm, à en juger par le schéma de dénomination choisi par l'équipe bleue (Intel 7par exemple, est en 10 nm). Samsung et TSMC, quant à eux, ne cessent de se surpasser. TSMC devrait commencer à produire des nœuds 2 nm en 2025, en même temps que l'introduction des transistors GAAFet, mais Samsung prévoit déjà de faire le saut vers le GAAFet avec ses transistors 3 nm 3 nm plus tard cette année. Aujourd'hui, TSMC fait à nouveau monter les enchères en préparant une annonce pour ses nœuds de 1,4 nm en juin.

Selon un récent rapport de Business Korea, les préparatifs pour les nœuds 1,4 nm commenceront par la conversion par TSMC de l'équipe de R&D 3 nm en une équipe qui commencera à définir le processus le plus avancé. Des informations plus officielles sur les nœuds de 1,4 nm pourraient être présentées lors du symposium technologique de TSMC prévu le mois prochain. Il sera intéressant de voir si TSMC peut continuer à utiliser des transistors GAAFet pour les nœuds de 1,4 nm ou essayer de mettre en œuvre une nouvelle technologie telle que nanomesh de graphène. De plus, TSMC pourrait également améliorer le processus de lithographie EUV en passant de 0,33 à 0,55 d'ouverture numérique

Apparemment, Intel sera le premier à utiliser la lithographie à ouverture numérique plus élevée avec les nœuds 20A et 18A en 2025. Encore une fois, il ne s'agit pas de véritables nœuds de 2 nm, mais Intel est connu pour au moins égaler la densité fournie par les nœuds de TSMC. Le passage de 2 nm à 1,4 nm peut ne pas sembler très impressionnant, mais il faut garder à l'esprit que la précision doit augmenter de manière exponentielle, tout en maintenant des rendements suffisamment élevés. Cela pourrait ne pas être réalisable avec les transistors GAAFet et TSMC pourrait être contraint d'explorer d'autres solutions. Si TSMC s'en tient à sa cadence actuelle, les nœuds de 1,4 nm pourraient être opérationnels d'ici 2028.

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