Samsung présente une feuille de route actualisée pour ses prochains nœuds de production en 3 nm et 2 nm
Lors de son 5ème événement annuel Foundry Forum, Samsung a publié des informations actualisées concernant la migration vers les nœuds avancés de 3 nm et 2 nm basés sur la structure de transistor Gate-All-Around. Samsung doit encore démontrer que ses nœuds de 5 nm sont une alternative viable aux N5 de TSMC de TSMC, qui sont utilisés pour la production des des derniers SoC mobiles deApple. Alors que la concurrence entre les deux principales fonderies devient de plus en plus agressive, Samsung tente maintenant de prouver sa supériorité en faisant pression pour l'adoption de la technologie GAA une génération avant TSMC, qui prévoit toujours d'utiliser la vénérable technologie FinFET dans les prochains Nœuds N3.
Samsung précise que sa technologie GAA est désormais connue sous le nom de MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET). En tant que premier nœud à utiliser le MBCFET, le processus de fabrication de Samsung en 3 nm est censé réduire la surface logique de 35 %, tout en améliorant les performances de 30 % et en réduisant les besoins en énergie de 50 % par rapport au nœud actuel en 5 nm. En outre, la maturité du processus a été améliorée, puisque le nœud de 3 nm approche déjà des niveaux de rendement logique similaires à ceux du nœud intermédiaire de 4 nm nœud de 4 nm qui a récemment été mis en ligne pour la production de masse.
Tout comme le nœud N3 de TSMC, le processus 3 nm de Samsung devrait commencer à produire les conceptions de puces des clients au cours du premier semestre 2022. Un nœud 3 nm de deuxième génération devrait être mis en ligne en 2023, et Samsung estime que les nœuds 2 nm intégrant la technologie MBCFET raffinée devraient être prêts pour la production de masse en 2025. TSMC, quant à lui, prévoit d'intégrer des transistors GAA pour la première fois Des transistors GAA pour la première fois dans ses nœuds N2 qui devraient être mis en service en 2024.
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