Samsung et IBM dévoilent un nouveau type de transistor pour les puces ultra-efficaces du futur
La puce d'IBM le type de puce le plus avant-gardiste est le résultat de sa technologie "nanosheet" qui se traduit par une architecture ultra-avancée de 2 nanomètres (nm). Maintenant, l'entreprise a annoncé à https://www.ieee-iedm.org/ qu'elle travaillait sur ce qui pourrait être la prochaine étape de cette technologie avec Samsung. Il s'agit d'un nouveau type de transistor qui pourrait permettre une plus grande densité de composants par puce par rapport à tout ce qui est disponible disponible sur et, par conséquent, d'améliorer potentiellement l'efficacité énergétique ou les performances
Il s'agit du transistor à effet de champ à transport vertical (VTFET), qui, comme son nom l'indique, ont été conçus pour s'empiler verticalement sur une puce plutôt qu'horizontalement comme c'est le cas de nombreux FET conventionnels, ceux que l'on trouve même dans les plus hauts de gamme des smartphones inclus. Cette adaptation permet également au courant agissant sur ces transistors de circuler verticalement, ce qui pourrait leur permettre de tirer un meilleur parti de la technologie meilleure utilisation de cette énergie
Par conséquent, les puces qui intègrent ce nouveau type de transistor pourraient offrir des gains en termes d'efficacité énergétique, même par rapport aux puces en 3nm qui seraient en cours de développement par d'autres OEM. IBM et Samsung affirment également aujourd'hui que l'utilisation des VTFET peut également débloquer une meilleure efficacité en cryptographie
