Samsung annonce le premier module DDR5 de 512 Go du marché

Micron et SK Hynix ont déjà annoncé leurs implémentations de la DDR5 qui devraient être lancées cette année par des intégrateurs tels qu'ADATA, Team Group ou Kingston, et maintenant Samsung intervient en annonçant sa propre version de la norme DDR5. En tant que leader dans le domaine des technologies de mémoire avancées, Samsung fait monter les enchères avec les premiers modules de RAM DDR5 de 512 Go conçus pour les applications informatiques à large bande passante. Cette grande capacité est possible grâce à l'utilisation de technologies telles que TSV (through-silicon via) et HKMG (High-K Metal Gate).

Samsung ne mentionne pas les fréquences exactes des nouveaux modules DDR5 de 512 Go, mais précise que ceux-ci peuvent offrir des performances deux fois supérieures à celles des modules DDR4 actuels, avec des pointes à 7200 Mbps, ce qui devrait améliorer considérablement les transferts de données pour les charges de travail à large bande passante dans les supercalculateurs, l'intelligence artificielle (AI) et l'apprentissage automatique (ML), ainsi que les applications d'analyse de données.

Le processus HKMG a été mis en œuvre pour la première fois dans la mémoire GDDR6 de Samsung en 2018. Ce type de technologie est généralement utilisé pour les matrices de processeurs dont la mise à l'échelle est plus rapide que celle de tout autre composant (déjà à 5 nm actuellement, alors que la RAM est à 10 nm). La DDR5 permet d'accroître les capacités de mise à l'échelle, mais les couches isolantes traditionnelles sont devenues trop fines, ce qui entraîne un courant de fuite plus élevé. En remplaçant l'isolant par le matériau HKMG, la DDR5 de Samsung sera en mesure de réduire les fuites et d'atteindre de nouveaux sommets en matière de performances. En outre, le matériau HKMG réduira de 13 % les besoins énergétiques du module RAM.

Avec la dernière itération TSV, Samsung est désormais en mesure d'empiler huit couches de 16 Go par puce DRAM. Chacune des puces DRAM a donc une capacité de 16 Go, de sorte que la capacité totale de 512 Go nécessiterait 32 puces. Cependant, les images fournies par Samsung montrent que chaque module intègre en réalité 40 puces pour un total de 640 Go. 8 de ces puces DRAM sont utilisées pour l'ECC (code de correction d'erreur) puisque les modules sont principalement destinés aux centres de données.

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