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Samsung annonce la norme de mémoire GDDR7 à 36 Gbps et vise à commercialiser des solutions de stockage V-NAND à 1000 couches d'ici 2030

La GDDR7 pourrait être lancée avec les futurs GPU RTX 5000 et RDNA 4. (Image Source : Samsung)
La GDDR7 pourrait être lancée avec les futurs GPU RTX 5000 et RDNA 4. (Image Source : Samsung)
La nouvelle norme GDDR7 à 36 Gbps offre des vitesses améliorées de 50 % par rapport à la norme actuelle GDDR6X à 24 Gbps de Micron. La bande passante maximale de la GDDR7 pourrait atteindre 1,7 To/s avec un bus de 384 bits. Samsung prévoit également de commercialiser des puces DDR5 de 32 Go cette année, et envisage un avenir où le stockage V-NAND à 1000 couches pourrait être possible d'ici 2030.

Samsung a présenté une nouvelle vague de solutions de mémoire et de plans futurs visant à améliorer de manière exponentielle les performances des centres de données, des serveurs, des mobiles, des jeux et des marchés automobiles. Parmi les points forts de la Samsung Tech Day de cette année, citons l'amélioration des capacités de la mémoire DDR5 L'annonce de la norme GDDR de nouvelle génération et une vision future de la technologie V-NAND de stockage.

Pour le marché de la DRAM, Samsung accélère le processus de production 1b qui permet une mise à l'échelle au-delà de 10 nm grâce à des technologies comme le High-K. L'entreprise introduira bientôt des densités DDR5 de 32 Go par puce mémoire, ce qui représente une augmentation de 2 fois par rapport aux puces existantes de 16 Go et de 33 % par rapport aux puces de 24 Go. En outre, la mémoire 8,5 Gbps LPDDR5X À 8,5 Gbps pour les téléphones mobiles et les ultrabooks devraient également connaître une adoption accrue au cours de l'année à venir. Les solutions DRAM sur mesure telles que HBM-PIMaXDIMM, et CXL seront développées pour permettre un traitement accéléré des applications d'IA et de réseaux neuronaux.

Les GPU de nouvelle génération bénéficieront d'une RAM plus rapide, puisque le géant sud-coréen a annoncé les spécifications GDDR7 avec des taux de transfert allant jusqu'à 36 Gbps. Cette nouvelle norme devrait améliorer les vitesses de 50 % par rapport à la norme actuelle 24 Gbps GDDR6X de Micron proposées par certaines cartes Nvidia RTX 4000. Avec un bus de 384 bits, la GDDR7 peut théoriquement offrir une bande passante de 1,7 TB/s, mais un bus de 256 bits peut également dépasser la limite de 1 TB/s.

Enfin, Samsung a parlé de l'amélioration des puces de mémoire de stockage V-NAND. les puces V-NAND TLC de 1 To seront disponibles fin 2022, et le développement de la neuvième génération de V-NAND est déjà en cours, les premières puces devant être produites en 2024. Samsung vise à commercialiser une solution V-NAND à 1000 couches d'ici 2030

 

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Bogdan Solca, 2022-10- 7 (Update: 2022-10- 7)