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SK Hynix présente des puces mémoire TLC NAND de 1 To à 321 couches

puces NAND de 1 To à 321 couches (Source de l'image : SK Hynix)
puces NAND de 1 To à 321 couches (Source de l'image : SK Hynix)
Les prochaines puces NAND TLC 4D de 1 To avec 321 couches doublent effectivement la capacité par rapport à la génération actuelle de 238 couches et devraient être lancées en 2025 en même temps que les dispositifs PCIe 6.0 et UFS 5.0.

SK Hynix présente les premières puces de mémoire Flash NAND TLC 4D de 1 To à 321 couches lors du Flash Memory Summit (FMS) 2023 qui se tient à Santa Clara, aux États-Unis, du 8 au 10 août. Ce type de mémoire avancé est encore en cours de développement, mais l'entreprise sud-coréenne estime que la production de masse devrait commencer au premier semestre 2025.

Les prochaines puces 4D NAND de cinquième génération à 321 couches d'une capacité de 1 To présentent une série d'avantages, notamment une augmentation de 59 % de la capacité par puce par rapport aux puces actuelles à 238 couches de 512 Go 238 couches de 512 GbsK Hynix continue d'affiner le processus d'empilage des cellules. Afin de tirer pleinement parti des puces avancées à 321 couches de 1 To, SK Hynix développe déjà sa prochaine génération de puces PCIe 6.0 PCIe 6.0 et UFS 5.0, qui seront principalement destinées à l'industrie de l'IA générative marché de l'IA générative générative.

Les puces de 512 Gb à 238 couches étant désormais produites à pleine capacité, SK Hynix introduit également de nouvelles puces PCIe 5.0 et UFS 4.0des solutions d'entreprise haute performance et haute capacité optimisées pour les charges de travail de l'IA.

En lançant de nouvelles générations de puces de mémoire NAND à une cadence de deux ans, SK Hynix cherche à consolider son leadership technologique dans l'espace NAND et promet de poursuivre l'innovation pour répondre aux exigences sans cesse croissantes de l'ère de l'IA.

 

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Bogdan Solca, 2023-08-10 (Update: 2023-08-10)