Neo Semiconductor lance 3D X-DRAM, les premières puces de mémoire vive de type NAND 3D au monde, d'une capacité de 128 Gb
Neo Semiconductor, producteur américain de flashes 3D NAND, lance ses puces de mémoire 3D X-DRAM, qui seraient les premières au monde à être dotées d'une mémoire 3D NAND 3D NAND-avec des capacités considérablement accrues par rapport aux solutions DRAM solutions DRAM 2D actuelles. La première itération de la technologie 3D X-DRAM peut atteindre une densité de 128 Gb avec 230 couches par puce, soit 8 fois plus que les puces DRAM 2D actuelles. Neo Semiconductor estime que cette solution peut s'adapter plus facilement et qu'elle est moins coûteuse à mettre en œuvre que d'autres solutions DRAM 3D, ce qui en fait un candidat solide pour remplacer la DRAM 2D dans un avenir proche.
L'avantage de la technologie 3D X-DRAM réside dans l'utilisation de la conception innovante de la cellule à corps flottant (FBC) qui stocke les données sous forme de charges électriques en utilisant un transistor et aucun condensateur. Contrairement à d'autres solutions DRAM 3D qui tentent de mettre au point de nouvelles conceptions plus compliquées, la technologie 3D X-DRAM exploite les processus 3D NAND matures d'aujourd'hui, ne nécessitant donc qu'un seul masque pour définir les trous de la ligne de bits et former la structure de la cellule à l'intérieur des trous. Cette approche peut grandement simplifier la production, la mise en œuvre et la transition de la DRAM 2D.
Neo Semiconductor a déjà publié toutes les demandes de brevet pertinentes auprès de l'USPAP le 6 avril dernier. L'entreprise est déterminée à faire avancer l'industrie pour la 3D X-DRAM comme une solution nécessaire pour répondre à la demande croissante de mémoires à haute performance et à haute capacité provoquée par les progrès rapides dans les domaines de l L'IA. Selon les estimations de Neo Semiconductor, la capacité de mémoire pourrait être doublée à 256 Gb d'ici 2025, tandis que des capacités de 1 Tb pourraient être offertes dans une décennie. De plus amples informations seront communiquées lors du sommet sur la mémoire flash qui se tiendra le 9 août 2023.
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