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Neo Semiconductor lance 3D X-DRAM, les premières puces de mémoire vive de type NAND 3D au monde, d'une capacité de 128 Gb

capacité multipliée par 8 par rapport aux puces DRAM 2D actuelles (Source d'image : Neo Semiconductor)
capacité multipliée par 8 par rapport aux puces DRAM 2D actuelles (Source d'image : Neo Semiconductor)
S'appuyant sur les processus 3D NAND matures utilisés dans les dispositifs de stockage SSD les plus avancés, la technologie 3D X-DRAM de Neo Semiconductor peut offrir une capacité de 128 Gb par puce, soit 8 fois la capacité des solutions DRAM 2D DDR5 actuelles.

Neo Semiconductor, producteur américain de flashes 3D NAND, lance ses puces de mémoire 3D X-DRAM, qui seraient les premières au monde à être dotées d'une mémoire 3D NAND 3D NAND-avec des capacités considérablement accrues par rapport aux solutions DRAM solutions DRAM 2D actuelles. La première itération de la technologie 3D X-DRAM peut atteindre une densité de 128 Gb avec 230 couches par puce, soit 8 fois plus que les puces DRAM 2D actuelles. Neo Semiconductor estime que cette solution peut s'adapter plus facilement et qu'elle est moins coûteuse à mettre en œuvre que d'autres solutions DRAM 3D, ce qui en fait un candidat solide pour remplacer la DRAM 2D dans un avenir proche.

L'avantage de la technologie 3D X-DRAM réside dans l'utilisation de la conception innovante de la cellule à corps flottant (FBC) qui stocke les données sous forme de charges électriques en utilisant un transistor et aucun condensateur. Contrairement à d'autres solutions DRAM 3D qui tentent de mettre au point de nouvelles conceptions plus compliquées, la technologie 3D X-DRAM exploite les processus 3D NAND matures d'aujourd'hui, ne nécessitant donc qu'un seul masque pour définir les trous de la ligne de bits et former la structure de la cellule à l'intérieur des trous. Cette approche peut grandement simplifier la production, la mise en œuvre et la transition de la DRAM 2D.

Neo Semiconductor a déjà publié toutes les demandes de brevet pertinentes auprès de l'USPAP le 6 avril dernier. L'entreprise est déterminée à faire avancer l'industrie pour la 3D X-DRAM comme une solution nécessaire pour répondre à la demande croissante de mémoires à haute performance et à haute capacité provoquée par les progrès rapides dans les domaines de l L'IA. Selon les estimations de Neo Semiconductor, la capacité de mémoire pourrait être doublée à 256 Gb d'ici 2025, tandis que des capacités de 1 Tb pourraient être offertes dans une décennie. De plus amples informations seront communiquées lors du sommet sur la mémoire flash qui se tiendra le 9 août 2023.

 

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Bogdan Solca, 2023-05-10 (Update: 2024-08-15)