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Moins de 1 nm : Une nouvelle technologie permet de fabriquer des puces minuscules

La manipulation du cristal permet d'obtenir les composants les plus petits possibles. (Source de l'image : IBS)
La manipulation du cristal permet d'obtenir les composants les plus petits possibles. (Source de l'image : IBS)
7 nm, 5 nm, 3 nm. Plus les MOSFET et les FinFET deviennent petits, plus il est possible de réaliser de circuits sur la même surface. Cependant, le développement se heurte à une limite très concrète : le rayon atomique.

La taille d'un objet dépend de la taille des éléments constitutifs qui lui sont associés. Un atome de silicium, par exemple, mesure 117 picomètres, soit 0,000000000117 mètre. C'est peu, mais la plus petite résolution actuelle du processus de production de 3 nanomètres n'est que 26 fois supérieure à cette valeur.

À un moment donné, la structure deviendra donc trop fine pour garantir une structure fiable pour un transistor. Un groupe de recherche de l'Institute for Basic Science de Daejeon, en Corée du Sud, a néanmoins réussi à sauter plusieurs générations de développement de puces à l'aide d'une nouvelle approche.

Actuellement, la structure souhaitée est progressivement imprimée sur des surfaces sensibles à la lumière en couches très fines par photolithographie. Mais cela n'est possible qu'avec une épaisseur de quelques atomes.

Les défauts dans les cristaux ne sont pas beaucoup plus larges que les atomes. (Source de l'image : Nanoscale Journal)
Les défauts dans les cristaux ne sont pas beaucoup plus larges que les atomes. (Source de l'image : Nanoscale Journal)

Afin de contourner les limites techniques du processus de lithographie, le défaut d'une structure cristalline est utilisé comme porte. Les chercheurs ont trouvé ce qu'ils cherchaient entre des structures en miroir de cristaux bidimensionnels de disulfure de molybdène.

C'est précisément là que se crée un espace unidimensionnel de seulement 0,4 nanomètre, soit 400 picomètres ou à peine plus de trois atomes de silicium. En construisant une telle structure molécule par molécule, il a été possible de la rendre presque dix fois plus petite que ce qui était possible auparavant.

Sur la base de cette taille, un transistor d'une longueur de 3,9 nanomètres a pu être construit, bien qu'il ne s'agisse pour l'instant que d'une théorie. Cela correspond à un sixième du processus de fabrication de 3 nanomètres, ou à un trentième de la surface.

En fonction de la date à laquelle une mise en œuvre technique pourra être réalisée, le calendrier de développement des puces pourrait bénéficier d'un sérieux coup d'accélérateur. Alors que la résolution de 2 nanomètres devrait être atteinte en 2025, il a été supposé qu'une résolution de 0,5 nanomètre ne pourrait être atteinte qu'en 2037.

La loi de Moore pourrait donc continuer à s'appliquer pendant un certain temps encore.

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Mario Petzold, 2024-07-15 (Update: 2024-07-15)