Micron annonce que sa dernière DRAM "1-alpha" est prête à être expédiée

Micron, un OEM également responsable de la marque Crucial, a lancé une nouvelle technologie de processus pour la fabrication de ses produits DRAM du futur. La société l'appelle le nœud 1α afin de désigner son statut de quatrième génération 10nm, ayant épuisé les dénominations 1x, 1y et 1z à ce jour.

Ce nouveau procédé est donc le dernier développement de Micron en matière de mémoire qui peut avoir un demi-pas (ou 50 % de la distance entre chaque cellule par puce DRAM) compris entre 10 et 19 nm. Cette spécification à haute densité est obtenue par lithographie.

Micron a choisi de fabriquer sa dernièreDRAM 1α en utilisant la photolithographie numérique plutôt que la technique de l'ultraviolet extrême (EUV) privilégiée par d'autres sociétés telles que Samsung, affirmant que cette technique n'était pasencore"prête pour leprime time"

Apparemment, la longueur d'onde de 32 nm de l'EUV était trop courte pour la méthode de photomasquage choisie par Micron (par laquelle la lumière "grave" les minuscules motifs qui forment les transistors dans une plaquette de silicium à travers un "gabarit" de quartz), si bien que ses ingénieurs ont opté pour la lithographie à 193 nm.

Cela a permis, comme l'affirme la société, d'obtenir des puces de 8 à 16 gigabits (Gb) avec une augmentation de 40 % de la densité par rapport à celles du précédent nœud 1z, ainsi qu'une amélioration générale de l'efficacité énergétique et de la fiabilité

Micron affirme que le processus aboutira à de nouveaux produits LPDDR5 avec les "meilleuresperformances LPDRAM de leur catégorie" nécessaires pour les appareils mobiles haut de gamme. Il sera également appliqué à une grande partie du reste de sa prochaine gamme de produits, y compris les solutions LPDDR4 et DDR4 de classe serveur des OEM.

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