Les rendements en 3 nm de Samsung Foundry seraient de l'ordre de 50 %
La rumeur veut que Samsung Foundry fasse son grand retour dans le domaine de la fabrication de semi-conducteurs avec son prochain nœud 3GAP. Les grands noms de l'industrie comme IBM, Nvidia et Qualcomm ont signé pour ce nœud, probablement en raison de problèmes de capacité chez TSMC. Toutefois, selon un rapport (traduit à la machine) du média sud-coréen DealSite.co.kr indique que le fabricant de puces a encore quelques problèmes à résoudre.
Les rendements pour le nœud 3 nm de Samsung Foundry (3 GAA/3 GAP non spécifiés) se situeraient encore dans une "fourchette moyenne à élevée de 50 %". Cela correspond à une rumeur précédente qui la situait aux alentours de 60 %. Selon les analystes de l'industrie, la "méthode de traitement GAA n'est pas encore stable", ce qui explique ces chiffres médiocres. Heureusement, son nœud de 4 nm s'en sort mieux avec des rendements d'environ 75 %. C'est une bonne nouvelle pour Google, car son Tensor G4 SoC pour la série Pixel 9 sera fabriqué sur le 4LPP+ de Samsung.
Néanmoins, Samsung devra améliorer les rendements s'il espère concurrencer TSMC et Intel Foundry à l'avenir.Samsung doit réussir avec son nœud 3 GAP car car il sera utilisé pour la fabrication de l'Exynos 2500 de l'année prochaine Exynos 2500une puce dont on dit qu'elle marquera le retour de Samsung à la domination des AP mobiles. Il jettera les bases de son successeur (SF2), qui devrait être utilisé par Qualcomm pour fabriquer son Snapdragon 8 Gen 5 pour Galaxy SoC et par Arm pour son Cortex-X.
Source(s)
Dealsite (en coréen)
via @Tech_Reve sur X
