Les prochaines puces gate-all-around en 3 nm de Samsung découvertes dans des systèmes de cryptomining
Samsung a été la première entreprise à introduire le conception de transistors à porte enveloppante dans ses nœuds SF3E de production de masse l'été dernier, mais les rendements initiaux se sont avérés très faibles. Samsung a promis des améliorations au cours des deux prochaines années les rendements en 3 nm s'élèvent désormais à 60 %, tandis que la deuxième génération de SF3E est en cours de développementles nœuds SF3E de deuxième génération https://semiconductor.samsung.com/foundry/process-technology/logic-node/ de deuxième génération devraient également être mis en ligne d'ici 2024. Malgré les faibles rendements initiaux, Samsung a réussi à à obtenir des commandes de la part de gros clients tels que Nvidia, Qualcomm et IBM. Aucune de ces entreprises n'a encore annoncé de produits fabriqués sur les nœuds SF3E, mais il semble que certaines sociétés obscures vendent déjà des systèmes utilisant le processus 3 nm de Samsung. Selon TechInsights, l'une des premières entreprises à utiliser le nœud le plus avancé de Samsung est MicroBT, qui se consacre principalement au cryptomining cryptomining.
TechInsights a découvert qu'un modèle spécifique du portefeuille de MicroBT est alimenté par des ASIC 3 nm. Le modèle s'appelle Whatsminer M56S++ et se vend actuellement à 6 350 USD Bitcoin avec un hashrate allant jusqu'à 254 Th/s et une efficacité énergétique de 22 J/Th. Ce système est aussi grand qu'un PC de taille moyenne, sauf qu'il est orienté à l'horizontale, et pèse 16 kg. Au débit maximal, il tire 5 588 W du mur.
Le modèle Whatsminer M56S++ est clairement plus économe en énergie que le modèle le plus vendu, le M30S, qui est presque trois fois plus lent à des vitesses de 92 Th/s, mais qui consomme 3 600 W. Certes, le M30S est plus petit et possède moins d'ASIC, et il coûte cinq fois moins cher, mais les spécifications semblent correspondre aux améliorations estimées à 3 nm par rapport aux technologies en 5 nm qui comprennent une réduction de 45 % de la consommation d'énergie et une augmentation de 23 % des performances pour un nombre de transistors et des fréquences similaires.
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