Les modules DDR5 de Micron atteignent 9200MT/s grâce à la lithographie EUV

Micron Technology vient de devenir le premier fabricant de mémoire à livrer des échantillons de modules DDR5 construits sur son nœud DRAM de classe 10nm de sixième génération, également connu sous le nom de 1γ (1-gamma). Pour la première fois, Micron utilise la lithographie EUV (extrême ultraviolet) dans son processus de fabrication, ce qui apporte des gains notables en termes de vitesse, d'efficacité énergétique et de rendement de production.

Grâce à cette nouvelle approche, les circuits intégrés DDR5 de 16 Go de Micron peuvent atteindre des vitesses allant jusqu'à 9200MT/s. Il s'agit d'un gain de performance de 15 % par rapport à la précédente génération de circuits DDR5 génération 1β (1-beta)tout cela en réduisant la consommation d'énergie de plus de 20 %. En outre, la nouvelle technique de production permet d'augmenter la densité de bits de plus de 30 %, ce qui pourrait contribuer à réduire les coûts une fois que le processus de fabrication sera parvenu à maturité.

"L'expertise de Micron dans le développement de technologies DRAM propriétaires, combinée à notre utilisation stratégique de la lithographie EUV, a donné naissance à un portefeuille solide de produits de mémoire de pointe à base de 1γ, prêts à propulser l'écosystème de l'IA vers l'avant", a déclaré Scott DeBoer, vice-président exécutif et directeur de la technologie et des produits de Micron.

Micron prévoit d'utiliser le nœud 1γ pour une large gamme de solutions de mémoire futures, notamment :

Applications de centre de données : Offrir des performances jusqu'à 15 % plus rapides et une meilleure efficacité énergétique pour maîtriser la consommation d'énergie et la chaleur.

Appareils mobiles : Les variantes LPDDR5X prendront en charge les expériences d'IA de pointe directement sur votre smartphone ou votre tablette.

Systèmes automobiles : LPDDR5X fonctionnant jusqu'à 9600MT/s augmentera la capacité, prolongera la durée de vie des produits et offrira des performances plus solides.

AMD et Intel ont déjà commencé à valider la nouvelle gamme DDR5 de Micron. Amit Goel, Corporate VP of Server Platform Solutions Engineering chez AMD, a souligné que cette collaboration s'inscrivait dans le cadre des efforts déployés par l'entreprise pour continuer à perfectionner ses processeurs EPYC et son matériel grand public. Dimitrios Ziakas, d'Intel, a quant à lui attiré l'attention sur l'amélioration de l'efficacité énergétique et de la densité, qui profiteront aux environnements de serveurs et aux PC pilotés par l'IA.

Actuellement, Micron produit ces puces DRAM 1γ dans ses installations au Japon, où l'entreprise a introduit son premier système de lithographie EUV en 2024. Au fur et à mesure de l'augmentation de la production, Micron prévoit d'installer des équipements EUV supplémentaires sur ses sites au Japon et à Taïwan.