Le nœud de 3 nm du deuxième objectif de Samsung Foundry serait affecté par de faibles rendements

Samsung a confirmé plus tôt son tout premier SoC pour smartphone en 3 nm, réalisé sur son processus de seconde génération en 3 nm (SF3GAP). On pense généralement qu'il s'agit de l'Exynos 2500 de prochaine génération Exynos 2500 qui équipera le Galaxy S25 l'année prochaine. Cependant, il faudra peut-être attendre un peu avant qu'il n'entre en production de masse, car il souffre encore de faibles rendements, comme l'indique un rapport du média coréen Dealsite (via @Revegnus1 sur X).

Dans son état actuel, le rendement du nœud 3GAP de Samsung est d'environ 20 %, ce qui signifie que 8 puces sur 10 sur une plaquette sont défectueuses. Ce chiffre est bien inférieur à celui de 50 % mis en évidence par un rapport précédent de la même publication. Encore une fois, ce rapport ne précisait pas s'il s'agissait du 3GAP ou du 3GAA original. D'autre part, le nœud N3B de TSMC semble mieux loti avec des rendements de ~55% . Malheureusement, il n'y a aucune information sur la situation de son successeur, le N3E.

Néanmoins, un rendement de 20 % est inquiétant et Samsung a beaucoup de travail à faire avant de commencer à produire en masse l'Exynos 2500 ou toute autre puce toute autre puce qui utilise le SF3GAP. Un rapport de Digitimes indique que Samsung lancera la production à grande échelle de l'Exynos 2500 dans la seconde moitié de 2024. Idéalement, cela devrait permettre d'affiner le processus et d'obtenir de meilleurs rendements.