Le nœud 4 nm de TSMC ferait des merveilles pour le Snapdragon 8 Gen 1 Plus avec un taux de rendement de plus de 70 %

Le Snapdragon 8 Gen 1 Plus serait fabriqué sur le nœud de 4 nm de TSMC (image via Qualcomm)

Le prochain SoC haut de gamme pour smartphone de Qualcomm, le Snapdragon 8 Gen 1 Plus, utiliserait le nœud de processus 4 nm de TSMC. Sa production semble démarrer à plein régime, avec des rendements de plus de 70 %. La société devrait dévoiler le jeu de puces au cours du deuxième trimestre 2022

Anil Ganti, Published 02/18/2022 🇺🇸 🇪🇸 ...

Ce n'est pas un secret que le Snapdragon 888 et le Snapdragon 8 Gen 1 n'ont pas été à la hauteur des attentes en raison de mauvaises propriétés thermiques. Nombreux sont ceux qui ont, à juste titre, attribué cet échec aux deux SoC fabriqués sur les nœuds 5 nm et 4 nm de Samsung LSI. C'est pourquoi Qualcomm a lorgné sur La capacité 4 nm de TSMC depuis un certain temps. Selon un rapport précédent, le Snapdragon 8 Gen 1 Plus fabriqué dans les installations de TSMC pourrait arriver dès le deuxième trimestre 2022

La décision de Qualcomm de passer à TSMC semble porter ses fruits, selon les informations obtenues par le leaker Twitter @Shadow_leakqui affirme que le Snapdragon 8 Gen 1 Plus (SM8475) a un taux de rendement supérieur à 70 %, ce qui est nettement mieux que le nœud de Samsung. Les équipementiers vont sans doute faire la queue en masse pour obtenir une partie du nouveau chipset de Qualcomm, et il sera intéressant de voir si Qualcomm peut répondre aux commandes.

Un chipset Snapdragon 8 Gen 1 Plus fabriqué par TSMC, bien qu'il soit censé surpasser de loin son homologue Samsung LSI, laissera un goût amer dans la bouche des premiers adaptateurs du silicium Qualcomm, notamment les propriétaires d'appareils tels que le Galaxy S22, le Xiaomi 12 et le OnePlus 10 Pro. Jusqu'à présent, les différences entre les SoC Qualcomm Plus et non-Plus ont été marginales, au mieux, et le delta pourrait être un peu trop important si le fabricant de puces change de fonderie

Cependant, Qualcomm travaille également sur le successeur du Snapdragon 8 Gen 1, le Snapdragon 8 Gen 2qui, selon les rumeurs, utiliserait également le nœud de 4 nm de TSMC. Pourtant, un autre rapport spécule que Qualcomm pourrait être l'un des premiers adaptateurs du nœud GAAFET de 3 nm de Samsung LSI. Il y a beaucoup d'informations contradictoires sur Internet en ce moment, et il est préférable d'attendre que d'autres fuites apparaissent avant de sauter aux conclusions