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La mémoire HBM4 de Samsung entre en phase d'essai de production, la production de masse étant prévue pour la fin de l'année 2025

Samsung accélère le développement du HBM4 pour un lancement en 2025 et vise les commandes de GPU de Nvidia (Source d'image : Samsung)
Samsung accélère le développement du HBM4 pour un lancement en 2025 et vise les commandes de GPU de Nvidia (Source d'image : Samsung)
Samsung accélère le développement de sa mémoire HBM4, avec pour objectif de commencer la production fin 2025, soit six mois de moins que le calendrier initial. Cette nouvelle génération de mémoire devrait permettre d'améliorer de 66 % la vitesse de transfert des données par rapport à la mémoire HBM3E, tout en augmentant la capacité de stockage.

Samsung Electronics a terminé la conception de la puce logique pour sa mémoire à grande largeur de bande (HBM4) de prochaine génération et a lancé la production expérimentale en 4 nm pour sa mémoire à grande largeur de bande (HBM4) de prochaine génération et a lancé la production d'essai en 4 nm, marquant ainsi un grand pas vers la production de masse dans la seconde moitié de 2025. Ce calendrier actualisé est en avance d'environ six mois sur le plan initial de 2026, ce qui pourrait permettre à Samsung de décrocher des commandes importantes pour les futures plateformes GPU de Nvidia.

Selon les informations disponibles, la division stockage de Samsung a déjà terminé la conception des puces logiques, tandis que sa division fonderie travaille d'arrache-pied sur les essais en 4 nm. La production de HBM4 a lieu dans une installation spécialisée D1c, qui utilise un processus DRAM avancé de 10 nm. Samsung a même sauté l'étape habituelle de développement D1b pour accélérer les choses.

Les détails techniques communiqués à l'ISSCC 2024 montrent que la HBM4 offrira une augmentation considérable des performances, avec des taux de transfert de données allant jusqu'à 2 To/s, soit environ 66 % de plus que la HBM3E. Il prendra également en charge une interface 2048 bits fonctionnant à 6,4 GT/s et augmentera la capacité jusqu'à 48 Go, soit 33 % de plus que la génération actuelle.

Parallèlement, SK Hynix, le plus grand rival de Samsung dans le domaine du HBM, serait également en train d'accélérer le développement du HBM4 pour atteindre le même objectif de 2025. Les analystes de Hanwha Investment & Securities s'attendent à ce que SK Hynix conserve sa part de marché et soit peut-être le premier à livrer des échantillons HBM4 aux clients.

Outre Nvidia, Samsung personnalise des produits HBM4 pour Microsoft et Meta. Cette technologie de mémoire joue un rôle essentiel dans la prochaine plateforme GPU "Rubin" de Nvidia, prévue pour 2026, qui comportera huit puces HBM4 et s'appuiera sur le processus 3nm de TSMC.

La gamme actuelle de produits HBM de Samsung est déjà en plein essor. Les ventes au cours du troisième trimestre 2024 ont augmenté de plus de 70 % d'un mois sur l'autre. Les produits HBM3E, y compris les versions à 8 et 12 couches, sont entrés en production de masse et devraient représenter environ la moitié des ventes totales de HBM de Samsung d'ici à la fin de 2024.

Source(s)

Technologie rapide (en chinois)

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Nathan Ali, 2025-01- 6 (Update: 2025-01- 6)