L'iodure de nickel pourrait être la clé des futurs dispositifs de mémoire ultra-rapides et plus petits, selon la recherche

Des scientifiques de l'université du Texas à Austin et de l'institut Max Planck pensent avoir trouvé un ingrédient clé pour des dispositifs de mémoire ultra-rapides et minuscules : l'iodure de nickel (_NiI2).

Les matériaux normaux peuvent être magnétiques ou électriques. Les matériaux multiferroïques offrent le meilleur des deux mondes : ils possèdent à la fois des propriétés magnétiques et électriques. Ils sont donc idéaux pour créer des dispositifs électroniques plus petits et plus rapides.

La caractéristique la plus intéressante des matériaux multiferroïques est ce que l'on appelle le "couplage magnétoélectrique". Dans ces matériaux, un champ électrique peut modifier le magnétisme, et vice versa. _NiI2 possède le couplage magnétoélectrique le plus fort jamais découvert. C'est précisément pour cette raison que le _NiI2 pourrait jouer un rôle déterminant dans le développement de dispositifs de mémoire ultrarapides. Oubliez les bâtons de mémoire encombrants, le _NiI2 pourrait contribuer à créer des mémoires beaucoup plus petites et plus légères. En outre, ces nouveaux dispositifs de mémoire consommeront probablement moins d'énergie, ce qui les rendra plus respectueux de l'environnement.

Les chercheurs ont utilisé des tirs laser très rapides pour "exciter" le matériau _NiI2 et ont ensuite observé comment son magnétisme et son électricité se modifiaient - tout cela dans la gamme des femtosecondes (un millionième de milliardième de seconde). Ils ont également effectué des calculs complexes pour comprendre pourquoi le _NiI2 a un effet de couplage aussi fort.

Le _NiI2 pourrait changer la donne dans d'autres domaines. Il pourrait être utilisé pour créer de minuscules connexions dans les ordinateurs quantiques. Il pourrait même être utile dans la construction de meilleurs capteurs chimiques pour le contrôle de la qualité et la sécurité des médicaments.

Les chercheurs tentent de trouver d'autres matériaux présentant des propriétés similaires à celles du _NiI2. En outre, les scientifiques étudient les moyens d'améliorer (et d'utiliser) les capacités déjà impressionnantes du _NiI2. Ils tentent également d'explorer les propriétés ferroélectriques de l'hafnium pour concevoir une mémoire qui sera meilleure et moins chère que la NAND.