L'énorme capacité de stockage de la Nintendo Switch 2 pourrait se trouver sur les cartes microSD Samsung SD Express
Une grande partie des nouvelles concernant la Nintendo Switch 2 ont porté sur la rumeur d'un retard de sortie, le mois de mars 2025 étant apparemment la date la plus probable pour l'apparition du successeur de la Switch. Nombreux sont ceux qui s'attendaient à ce que Nintendo ait déjà annoncé ou montré quelque chose de sa console hybride de nouvelle génération, et cette nouvelle particulière n'a pas été accueillie positivement. Heureusement, Samsung est en quelque sorte venu à la rescousse, avec une annonce menant à de nouvelles spéculations sur la Switch 2 (via Reddit) qui devrait susciter un certain enthousiasme.
Un communiqué de presse officiel https://news.samsung.com/global/samsungs-new-microsd-cards-bring-high-performance-and-capacity-for-the-new-era-in-mobile-computing-and-on-device-ai de Samsung a révélé qu'un échantillon de carte microSD SD Express de 256 Go atteignait des vitesses de lecture séquentielle de 800 Mo/s maximum. Bien que cette vitesse puisse faire sourire les propriétaires de PS5 et de Xbox Series X, il s'agit tout de même d'un bond en avant par rapport à la console Nintendo Switch originale (vous pouvez vous procurer le modèle OLED sur Amazon), en supposant que cette technologie se dirige vers la Switch 2, bien sûr. Nintendo indique que les joueurs peuvent s'attendre à des vitesses de transfert de 60 à 95 Mo/s pour la Switch - un bond à 800 Mo/s serait donc très perceptible. Mais pourquoi ce communiqué de presse de Samsung est-il lié à la Nintendo Switch 2 ?
Comme l'a souligné le redditor u/anirakdream, il y a une phrase dans le communiqué qui pourrait facilement parler de Nintendo : "Le développement est le résultat d'une collaboration réussie avec un client pour créer un produit personnalisé." Naturellement, cela pourrait concerner un certain nombre d'autres entreprises qui bénéficieraient de cartes SD aussi rapides, comme les fabricants de téléphones et d'appareils photo. Mais la taille de la carte et le fait qu'elle soit "optimisée pour des performances élevées et une gestion thermique" indiquent également qu'il s'agit d'un produit comme la Nintendo Switch 2 par exemple.
On s'attend à ce que le successeur de la Switch soit doté d'un système de stockage de pointe, car il s'agit d'un domaine évident dans lequel Nintendo peut produire un produit qui plaira aux fans. Le fait de disposer d'une technologie de stockage aussi avancée expliquerait, comme l'explique le même post Reddit https://www.reddit.com/r/GamingLeaksAndRumours/comments/1b1yrna/comment/ksi89wx/?utm_source=share&utm_medium=web3x&utm_name=web3xcss&utm_term=1&utm_content=share_button par u/RexVandham, comment la prétendue Démo Gamescom était si impressionnante, le matériel mis en place pour émuler une Nintendo Switch 2 étant capable de traiter The Legend of Zelda : Breath of the Wild et The Matrix Awakens. La carte microSD SD Express de 256 Go de Samsung sera disponible à l'achat "plus tard cette année", avec une variante de 1 To à venir au troisième trimestre.
Les nouvelles cartes microSD de Samsung offrent des performances et une capacité élevées pour la nouvelle ère de l'informatique mobile et de l'IA sur appareil
Korea on February 28, 2024Audio AUDIO Play/StopShare Share open/close Print
Samsung échantillonne la première carte microSD SD Express de 256 Go de l'industrie, dont la vitesse est plus de quatre fois supérieure à celle de l'interface actuelle
La carte microSD UHS-1 de 1 To de Samsung est produite en série sur la base de la dernière technologie V-NAND
Samsung Electronics, leader mondial des technologies de mémoire avancées, a annoncé aujourd'hui qu'elle avait commencé à échantillonner sa carte microSD SD Express2 de 256 gigaoctets (Go)1 avec une vitesse de lecture séquentielle pouvant atteindre 800 mégaoctets par seconde (Mo/s) et qu'elle avait entamé la production en série de sa carte microSD UHS-1 de 1 téraoctet (To)3. Avec l'introduction de sa gamme de cartes microSD de nouvelle génération, Samsung vise à fournir des solutions de mémoire différenciées requises pour l'informatique mobile de demain et les applications d'intelligence artificielle sur appareil.
"Avec nos deux nouvelles cartes microSD, Samsung a fourni des solutions efficaces pour répondre aux demandes croissantes de l'informatique mobile et de l'intelligence artificielle sur appareil", a déclaré Hangu Sohn, vice-président de l'équipe Memory Brand Product Biz chez Samsung Electronics. "Malgré leur taille minuscule, ces cartes mémoire offrent des performances et une capacité comparables à celles d'un SSD pour aider les utilisateurs à tirer le meilleur parti des applications modernes et futures exigeantes."
La première carte microSD SD Express de l'industrie offre des vitesses maximales de 800 Mo/s
Pour la première fois dans l'industrie, Samsung a introduit une nouvelle carte microSD haute performance basée sur l'interface SD Express. Ce développement est le résultat d'une collaboration fructueuse avec un client pour créer un produit personnalisé.
Grâce à sa conception à faible consommation d'énergie ainsi qu'à une technologie de micrologiciel optimisée pour des performances élevées et la gestion thermique, la carte microSD SD Express de Samsung offre des performances équivalentes à celles des disques SSD dans un format réduit. Alors que les vitesses de lecture des cartes microSD traditionnelles basées sur l'interface UHS-1 étaient limitées à 104 Mo/s, SD Express a pu les porter à 985 Mo/s, bien que la disponibilité commerciale de ces dernières n'ait pas été viable dans les cartes microSD jusqu'à présent.
La vitesse de lecture séquentielle de la carte microSD SD Express de Samsung atteint jusqu'à 800 Mo/s - 1,4 fois plus rapide que les disques SSD SATA (jusqu'à 560 Mo/s) et plus de quatre fois plus rapide que les cartes mémoire UHS-1 traditionnelles (jusqu'à 200 Mo/s), ce qui permet d'améliorer les expériences informatiques dans diverses applications, y compris les PC et les appareils mobiles. Pour garantir des performances stables et la fiabilité du petit format, la technologie Dynamic Thermal Guard (DTG) maintient la température optimale de la carte SD Express microSD, même pendant de longues sessions d'utilisation.
carte microSD UHS-1 de 1 To avec V-NAND de pointe de 1 To
La nouvelle carte microSD de 1 To de Samsung empile huit couches de V-NAND de 8e génération de 1 To dans un format microSD, réalisant ainsi un ensemble de haute capacité qui n'était auparavant possible que dans les disques SSD. La nouvelle carte microSD de 1 To passe les tests les plus rigoureux de l'industrie et offre une utilisation fiable même dans des environnements difficiles, avec des caractéristiques telles que la protection contre l'eau, les températures extrêmes, la conception anti-chute, la protection contre l'usure, ainsi que la protection contre les rayons X et le magnétisme.4
Disponibilité
La carte microSD SD Express de 256 Go sera disponible à la vente dans le courant de l'année, et la carte microSD UHS-1 de 1 To devrait être lancée au cours du troisième trimestre de cette année.
1 1 gigaoctet (Go) = 1 000 000 000 d'octets (1 milliard d'octets). La capacité utile réelle peut varier.
2 SD Express : La nouvelle interface de carte SD avec PCIe Gen3x1 (basée sur la spécification SD 7.1 publiée en février 2019), la vitesse de transfert théorique d'une carte SD Express est de 985 Mo/s
3 1 téraoctet (To) = 1 000 000 000 000 octets (1 trillion d'octets). La capacité utilisable réelle peut varier
4 Samsung n'est pas responsable des dommages et/ou de la perte de données ou des frais encourus lors de la récupération des données de la carte mémoire. Les six preuves revendiquées ne s'appliquent qu'à la carte microSD UHS-1 de 1 To, et non à la carte microSD SD Express de 256 Go. profondeur de 1 m, eau salée, 72 heures. Températures de fonctionnement de -25℃ à 85℃ (-13°F à 185°F), températures hors fonctionnement de -40℃ à 85℃ (-40°F à 185°F). Résiste aux machines à rayons X standard des aéroports (jusqu'à 100mGy). Champ magnétique équivalent à celui d'un scanner IRM à haut champ (jusqu'à 15 000 gauss). Résiste à des chutes allant jusqu'à 5 mètres (16,4 pieds). Jusqu'à 10 000 passages.
