L'approche computationnelle de Samsung permet d'identifier 18 matériaux chalcogénures pour la prochaine génération de mémoires SOM

Grâce à une approche intelligente, Samsung poursuit le développement de la technologie Selector-Only Memory (SOM) sur le site https://www.eenewseurope.com/en/iedm-samsung-speeds-selection-of-selector-only-memory-materials/la technologie SOM (Selector-Only Memory) est en cours de développement : elle utilise une modélisation informatique avancée pour déterminer les meilleurs matériaux chalcogénures pour la prochaine génération de mémoires. L'équipe de recherche a examiné plus de 4 000 combinaisons de matériaux différentes et en a retenu 18 qui semblent prometteuses pour des tests en conditions réelles.

La technologie SOM pourrait constituer un pas de géant dans la conception des mémoires, en combinant le meilleur des deux mondes : elle offre les avantages non volatiles du stockage flash tout en conservant la vitesse de la DRAM. Elle utilise des matériaux chalcogénures qui servent à la fois de cellules de mémoire et de sélecteurs, ce qui évite d'avoir recours à des transistors distincts, comme c'est le cas dans les configurations plus courantes de mémoire vive à changement de phase ou résistive.

L'équipe a utilisé des simulations complexes pour examiner les propriétés de liaison, la stabilité des matériaux à la chaleur et leur comportement électrique. Elle s'est concentrée sur des éléments tels que l'ampleur de la dérive de la tension de seuil et la stabilité de la fenêtre de mémoire, ce qui signifie essentiellement la capacité à maintenir les états de marche et d'arrêt distincts l'un de l'autre.

Samsung devrait présenter ces résultats lors de l'International Electron Devices Meeting qui se tiendra à San Francisco en décembre. La société estime que cette approche informatique a pu lui permettre de découvrir des matériaux très performants que les tests traditionnels en laboratoire n'auraient pas permis d'identifier.

Tout ceci s'appuie sur les travaux antérieurs de Samsung à l'IEDM 2023, où la société a présenté un SOM basé sur un OTS de 64 Gbit avec de minuscules cellules de mémoire de 16 nm.