Galaxy S21 FE : une nouvelle fuite sur Geekbench pourrait confirmer la présence d'une unité de mémoire vive de 8 Go pour le prochain smartphone
Samsung est prévu de reproduire une formule gagnante en 2021 avec un successeur pour la populaire Galaxy S20 FE. On pense qu'il s'agira d'une version légèrement réduite de l'appareil principal Galaxy S21 bien qu'elle conservant trois caméras arrière avec un capteur de 64MP, un écran plat de 120Hz et un processeur Snapdragon 888.
Là encore, une précédente fuite liée aux spécifications fuite faisait état d'une quantité plus que légèrement décevante de 6 Go de RAM pour le Fan Edition nouvelle génération. Elle est dérivée d'un listing Geekbench 5 pour un Samsung SM-G990Bqui serait le numéro de modèle du S21 FE. Cependant, cet appareil est apparemment revenu sous une forme différente et légèrement améliorée.
Le benchmark l'a détecté comme un appareil de 8 Go cette fois-ci, bien que le reste de ses attributs, sa ROM basée sur Android 11 et sa plateforme Qualcomm jusqu'à 2,84 GHz soient inclus. Encore une fois, ce nouveau "SM-G990B" a obtenu un bien meilleur score que le précédent, ce qui laisse penser que Samsung a optimisé sa version de One UI 3 ou que sa mémoire vive supplémentaire vaut la peine d'être prise en compte si l'on est vraiment en mesure d'acheter ce téléphone d'acheter un Galaxy S21 FE bientôt.
Source(s)
