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CXMT prend de l'avance : Une entreprise chinoise lance la production du HBM2 avec deux ans d'avance

Le fabricant chinois CXMT lance la production de masse de mémoire HBM2 en avance sur le calendrier (Source d'image : SK Hynix)
Le fabricant chinois CXMT lance la production de masse de mémoire HBM2 en avance sur le calendrier (Source d'image : SK Hynix)
Le fabricant chinois de mémoire CXMT aurait commencé à produire en masse de la mémoire HBM2, un composant essentiel pour les processeurs d'intelligence artificielle et de calcul intensif. Cette évolution soudaine donne à CXMT une longueur d'avance dans la course à l'autosuffisance technologique. Toutefois, des défis subsistent, car les concurrents mondiaux s'orientent déjà vers des technologies de mémoire plus avancées.

ChangXin Memory Technologies (CXMT), un important fabricant chinois de mémoires, aurait commencé la production de masse de sa mémoire à large bande passante de deuxième génération (HBM2). Comme le rapporte DigiTimesce développement marque une étape importante pour l'industrie chinoise des semi-conducteurs, avec environ deux ans d'avance sur le calendrier prévu.

CXMT s'est procuré des équipements de fabrication auprès de fournisseurs américains et japonais, des entreprises américaines telles que Applied Materials et Lam Research ayant obtenu les licences d'exportation nécessaires. La production de HBM implique un processus complexe, comprenant la fabrication et les essais des dispositifs de mémoire, les matrices de base et l'assemblage final.

La HBM2 offre des performances supérieures en matière de bande passante, avec une interface de 1024 bits de large et des taux de transfert de données allant d'environ 2 GT/s à 3,2 GT/s par broche. Bien que sa production ne nécessite pas une lithographie de pointe, elle requiert une capacité de fabrication substantielle en raison de la taille plus importante des circuits intégrés DRAM HBM par rapport aux DRAM standard.

Les techniques d'emballage avancées requises pour la production de HBM représentent un défi de taille. Le processus implique la connexion verticale de huit ou douze dispositifs de mémoire à l'aide de petits trous d'interconnexion dans le silicium (TSV). Malgré cette complexité, l'assemblage d'un module KGSD (known-good stacked die) de type HBM est moins difficile que la fabrication de DRAM à l'aide d'un processus de 10 nm.

Bien que remarquable, l'accomplissement de CXMT laisse l'entreprise derrière des concurrents mondiaux tels que Micron, Samsung et SK Hynix. Ces leaders de l'industrie produisent actuellement en masse des cartes HBM3 et HBM3E et prévoient de commencer à produire des mémoires HBM4 avec des interfaces de 2048 bits dans un avenir proche.

Pour l'industrie technologique chinoise, la production nationale de HBM2 représente une avancée cruciale. Cette technologie de mémoire est essentielle pour les processeurs IA et HPC avancés, tels que la série Ascend 910 de Huawei, ce qui souligne son importance dans la poursuite de l'autosuffisance technologique de la Chine.

Source(s)

TomsHardware (en anglais) via DigiTimes (en anglais)

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Nathan Ali, 2024-08- 5 (Update: 2024-08- 5)