Qualcomm Snapdragon 855+ / 855 Plus

Le Qualcomm Snapdragon 855 Plus (855+) est un SoC pour smartphones et tablettes haut de gamme que Qualcomm a annoncé en 2019. Par rapport au Snapdragon 855 normal, le 855 Plus  possède des fréquences de CPU et de GPU plus élevées. Le SoC intègre un cœur plus puissant qui monte à 2,96 GHz (2,84 GHz dans le 855), et trois autres cœurs rapides ARM Cortex-A76, qui montent à 2,42 GHz. Ils sont accompagnés par quatre cœurs ARM Cortex-A55 qui montent au maximum à 1,8 GHz.

Le SoC intègre également le nouveau modem LTE X24, que Qualcomm indique pouvoir monter à 2 Gbit/s au maximum en réception, et jusqu'à 316 Mbit/s en envoi (LTE Cat. 20). Le Snapdragon 855+ peut également intégrer le nouveau modem 5G X50 de la firme.

Qualcomm a également amélioré le mode Wifi intégré, compatible Wifi 6, possède un Sounding 8x8, et prend en charge le Wifi 802.11 ay. Le modem Wifi peut utiliser la bande des 60 GHz, pour une vitesse qui monte à 10 Gbit/s.

C'est le DSP Hexagon 690 qui a le plus subi les changements que Qualcomm a fait aux Snapdragon 855 et 855+. Le nouveau DSP intègre un Neural Processing Unit (NPU) avec des cœurs Tensor dédiés, qui peuvent exécuter jusqu'à 7 trillions d'opérations par seconde, en lien avec le CPU et le GPU. En bref, le Snapdragon 855+ devrait être trois fois plus puissant que le Snapdragon 845 et deux fois plus que le Kirin 980.

Les Snapdragon 855 et 855+ possèdent également un ISP Spectre 380, qui est la première puce au monde à intégrer un Computer Vision Engine (CV-ISP) qui peut exécuter des calculs de profondeur dans les vidéos jusqu'à 60 FPS. Le Snapdragon 855+ devrait fournir des modes portrait en temps réel, ou pouvoir détecter des objets avec une consommation relativement réduite.

Le contrôleur mémoire intégré prend en charge jusqu'à 16 Go de RAM LPDDR4x (4 x 16 bits). Et comme le SD855, le 855+ intègre une carte graphique Adreno 640 à la fréquence plus élevée, et que devrait offrir un gain de performances de 15 %.

Qualcomm va faire fabriquer le Snapdragon 855+ par TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) en 7 nm FinFET.