Qualcomm Snapdragon 855

Le Qualcomm Snapdragon 855 mobile est un SoC pour smartphones et tablettes haut de gamme que Qualcomm a annoncé en décembre 2018. Le SoC intègre un cœur plus puissant qui monte à 2,84 GHz, et trois autres cœurs rapides ARM Cortex-A77, qui montent à 2,42 GHz. Ils sont accompagnés par quatre cœurs ARM Cortex-A55 qui montent au maximum à 1,8 GHz. Le cœur puissant dévrait permettre au processeur de fournir des performances monocœur bien plus élevées que le Snapdragon 845, mais nous soupçonnons le Snapdragon 855 de rester en retrait de l'Apple A12 Bionic. Le nouveau SoC devrait être de 45 % plus performant que son prédécesseur dans les performances monocœur, et de 35 % dans les performances multicœurs. Qualcomm met en avant la capacité du Snapdragon 855 à maintenir ses performances en cas de sollicitations continues, pour battre l'Apple A12 Bionic SoC et le HiSilicon Kirin 980.

Le SoC intègre également le nouveau modem LTE X24, que Qualcomm indique pouvoir monter à 2 Gbit/s au maximum en réception, et jusqu'à 316 Mbit/s en envoi (LTE Cat. 20). Le Snapdragon 855 peut également intégrer le nouveau modem 5G X50 de la firme.

Qualcomm a également amélioré le mode Wifi intégré, compatible Wifi 6, possède un Sounding 8x8, et prend en charge le Wifi 802.11 ay. Le modem Wifi peut utiliser la bande des 60 GHz, pour une vitesse qui monte à 10 Gbit/s.

C'est le DSP Hexagon 690 qui a le plus subi les changements que Qualcomm a fait au Snapdragon 855. Le nouveau DSP intègre un Neural Processing Unit (NPU) avec des cœurs Tensor dédiés, qui peuvent exécuter jusqu'à 7 trillions d'opérations par seconde, en lien avec le CPU et le GPU. En bref, le Snapdragon 855 devrait être trois fois plus puissant que le Snapdragon 845 et deux fois que le Kirin 980.

Le Snapdragon 855 possède également un ISP Spectre 380, qui est la première puce au monde à intégrer un Computer Vision Engine (CV-ISP) qui peut exécuter des calculs de profondeur dans les vidéos jusqu'à 60 FPS. Le Snapdragon 855 devrait fournir des modes portrait en temps réel, ou pouvoir détecter des objets avec une consommation relativement réduite.

Le contrôleur mémoire intégré prend en charge jusqu'à 16 Go de RAM LPDDR4x (4 x 16 bits). De plus, l'Adreno 640 possède 50 % d'unité de calcul (ALU) de plus que l'Adreno 630, et Qualcomm affirme qu'il devrait être de 20 % plus rapide que son prédécesseur. Nous ne savons pour l'instant pas quelle fréquence pourra atteindre l'Adreno 640, Qualcomm ne l'ayant pas dévoilé lors de l'annonce du Snapdragon 855.

Qualcomm va faire fabriquer le Snapdragon 855 par TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) en 7 nm FinFET. Le passage à une gravure en 7 nm devrait rendre le SD855 de 20 % plus efficient que le SD845. Qualcomm n'a pas officiellement annoncé l'enveloppe thermique (TDP) du SD855, mais nous soupçonnons que ce SoC montera au maximum à 5 W, et se stabilisera aux alentours de 3,5 W en cas de sollicitations.